近年來，隨著碳化硅材料的飛速發(fā)展，人們對碳化硅的要求已進(jìn)入納米范圍。由于獨(dú)特的尺寸，納米碳化硅在電學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、機(jī)械等方面表現(xiàn)出驚人的優(yōu)勢，納米顆粒被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。

1.碳化硅粉體分散的原理

由于納米粉體特殊的表面結(jié)構(gòu)和表面作用能，納米碳化硅顆粒在生產(chǎn)和運(yùn)輸?shù)倪^程中表面易被污染而發(fā)生黏附和團(tuán)聚，使其顆粒粒徑變大，以至于失去納米特性，降低材料的性能。因此，控制納米粉體團(tuán)聚已成為研制高性能納米粉體的一項關(guān)鍵技術(shù)。消除團(tuán)聚主要有物理和化學(xué)兩種方法，大量的團(tuán)聚都采用后者進(jìn)行分散，因?yàn)殡S著納米粒子尺寸越來越小，團(tuán)聚體越來越頑固，其中表面化學(xué)修飾和分散劑分散成為主流。

而碳化硅團(tuán)聚分為：軟團(tuán)聚和硬團(tuán)聚。軟團(tuán)聚是由靜電力和范德華力作用形成的，由于作用力較弱，可以通過化學(xué)作用和施加機(jī)械力，這樣子很容易達(dá)到分散效果?；瘜W(xué)鍵作用理論是產(chǎn)生硬團(tuán)聚的主要原因，并且由于化學(xué)鍵的作用，硬團(tuán)聚在分散過的過程中很難被破壞。

那么軟團(tuán)聚如何分散，硬團(tuán)聚如何分散呢？

2.軟團(tuán)聚的分散

軟團(tuán)聚由于形成機(jī)理簡單，離子鍵的作用力較弱，采用物理分散方法就可以加入碳化硅分散劑對納米顆粒軟團(tuán)聚進(jìn)行分散，其中主要有超聲分散和機(jī)械分散。

3.硬團(tuán)聚的分散

碳化硅表面的電荷是由于硅醇的分解而產(chǎn)生的，在合成碳化硅粉體的過程中，納米粉體表面被氧化層，這氧化層與碳化硅表面的化學(xué)特性非常相似，將這些粉體分散水中時，硅層與水混合，在碳化硅粉體表面形成硅醇層，因此很難被分散開，但是可通過酸洗，出去碳化硅表面的氧化層及其它雜志，以便更好地吸附碳化硅分散劑，形成一層包覆層，讓碳化硅均勻分散于漿料當(dāng)中。

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基于納米碳化硅及其復(fù)合材料的器件越來越多，隨著納米碳化硅粒徑的不斷減小，器件性能大幅度地提高，盡管如此，納米碳化硅材料還面臨著一些必須解決的問題，因此在著眼于納米碳化硅表面特性分析，以期獲得更加有效的新型分散劑，達(dá)到最佳的效果。

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